如今，表面貼裝技術（SMT，Surface Mount Technology）、整機小形化、高頻化的不斷推進，促使SLC單層芯片電容開始向微型化、高頻化方向發展。在電子移動通訊和電子整機設備中被廣泛應用的單層芯片電容，其具有體積小、厚度薄、損耗低、優良射頻等特點，可用于各種電子整機中的振蕩、耦合、濾波和旁路。但市面上大多數單層芯片電容存在射頻參數差、容量小、耐壓低等劣勢，因此有必要研制一款高頻SLC單層芯片電容。廣東愛晟電子科技有限公司為大家介紹一款單層芯片電容，其電容量大、尺寸小、耐電壓高、等效串聯電阻低且高頻微波特性良好。具體的制備步驟如下：

一、以鈦酸鋇體系的低燒X7R陶瓷粉料作為主基材，將氧化劑以及玻璃燒結助劑按比例砂磨混合，砂磨混合之后進行烘干處理得到干燥混合物；

二、將干燥混合物預燒處理之后，干燥、粉碎、細化得到多層低溫燒結電容器瓷粉；

三、將多層低溫燒結電容器瓷粉、無水乙醇、分散劑、消泡劑以及粘合劑混合球磨，得到漿料，將漿料倒在流延機注入口的PET載膜上，通過刮刀、加熱區后形成穩定且具有韌性的微米級厚度陶瓷膜帶，最后，裁剪得到生瓷膜片；

四、對生瓷膜片進行打孔操作，并使用通孔金漿和內電極金漿分別進行通孔和內電極的印刷；

五、將含通孔的膜片與含有內電極漿料的生瓷膜片依據對位標記堆疊起來，經過等靜壓形成類似MLCC的埋入式結構的巴塊，其中等靜壓參數隨產品厚度的不同而改變；

六、采用厚膜印刷方式，使用表層金漿在巴塊的上下表面分別印制一層金電極，得到SLC單層芯片電容生坯；

七、將芯片電容生坯放置于承燒板上，由室溫經20h~48h緩慢升溫至400℃~600℃排出芯片電容中的有機物，再進行燒結處理；置于高溫箱式電爐中進行燒結處理，燒結溫度為900℃±50℃，保溫時間為2h~5h；

八、采用精確切割工藝技術，得到需求尺寸的高頻SLC單層芯片電容。





參考數據：

CN108922779A《一種片式通孔金電極芯片電容器及其制備方法》