廣東愛晟電子科技有限公司生產的SLC單層芯片電容具有尺寸小、厚度薄、等效串聯電阻低、損耗低的優點，應用頻率可達數GHz，適用于小型、微波的場合，可應用于微波集成電路中，起到隔直流、RF旁路、濾波、調諧等作用。

SLC單層芯片電容的介質陶瓷基片是由陶瓷生坯經高溫燒結致密化而成，燒結時生坯會發生收縮，其收縮率可達17％~20％。燒結過程中的收縮應力會使基片翹曲，導致后續加工如電極被覆、二次切割等無法進行，使產品不良率增加。為了獲得平整度高、電氣性能良好的單層芯片電容，就需要一套提高良品率的工藝流程，具體的步驟如下：

一、將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片；

二、按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓機將其壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；

三、將基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片；

四、在基片上濺射形成金屬電極并將基片二次切割，制得單層芯片電容。

其中，基片生坯堆疊燒結的過程為制備多個基片生坯及多個氧化鋯膜，將若干個生坯和氧化鋯膜交替地自然堆疊并裝缽于氧化鋯板上進行燒結得到。基片生坯與氧化鋯膜自然堆疊，相互之間沒有粘接，燒結時各基片生坯能夠自由收縮。收縮應力產生沒有疊加且應力較小，氧化鋯膜也不會對基片生坯的收縮產生抑制，因此得到平整無裂片的基片，且氧化鋯膜容易從基片上分離。采用該燒制方法，燒結基片生坯在達到生坯開始收縮的溫度后，按2℃/min的速率緩慢升溫至最高燒結溫度，可制得平整度高且電氣性能良好的陶瓷基片，制得的SLC單層芯片電容電容量集中、損耗低、絕緣性能好。





參考數據：

CN105632758A《一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法》