單層芯片電容（SLC）因其隔直流、高頻旁路和阻抗匹配等特點，被廣泛應用于微波/光收發器、TOSA/ROSA/BOSA（發射/接收/雙向光學組件）、合成器、振蕩器和其它信號發生器等。在所有這些應用中，選擇正確的電容是獲得理想性能的第一步。單層芯片電容的電容可根據平行板電容方程計算：

C=ε_rε_0A/d

其中，C是電容，單位為法拉（F）；A是兩塊板重疊的面積，單位為平方米（㎡）；ε_r是介電常數；ε₀是電常數(ε₀≈8.854×10-12F/m)；d是平行板之間的間距，單位為米（m）。

在理想的電容器中沒有電阻或電感，因此阻抗隨頻率成反比下降。然而，當頻率達到自諧振頻率（SRF,Self-resonant Frequency）時，阻抗降到最小，然后電感占主導地位，阻抗隨頻率而增加。另一個需要注意的是，單層芯片電容在自諧振頻率附近的阻抗比理想電容器小。這是因為理想的電容器沒有等效串聯電感（ESL，Equivalent Series Inductance）或等效串聯電阻（ESR，Equivalent Series Resistance），但是單層芯片電容的等效串聯電感抵消了自諧振頻率附近的電容電抗（從而抵消了阻抗）。這意味著在自諧振頻率附近，單層芯片電容比理想電容器的損耗小。

其它的參數，包括電容器的額定工作電壓（RWV，Rated Working Voltage）、絕緣電阻（IR，Insulation Resistance），它們與電介質的厚度成正比。電容會隨著偏置電壓而變化，其偏置電壓又會隨著介電常數的增加而惡化；電容會隨著溫度的變化而改變，其溫度又會隨特定的介電材料而變化。

一般來說，在選擇單層芯片電容時，可遵循以下原則：

一、為獲得最佳的等效串聯電阻，選擇尺寸大而薄的單層芯片電容。

二、為獲得最佳的額定工作電壓和絕緣電阻，選擇較厚的單層芯片電容。

三、對于最高的自諧振頻率，選擇尺寸更小、更薄的單層芯片電容。

四、對于最低損耗，使用最低介電常數。

廣東愛晟電子科技有限公司生產的單層芯片電容，尺寸小（最小可至0.23mm）、厚度薄（最薄可至0.12mm）、等效串聯電阻低、損耗低，可在微波應用中起到隔直流、RF旁路、濾波、調諧等作用。

參考數據：

《微波雜志》2020年3/4月刊 《了解微波應用中的單層電容器》