目前，大部分IGBT廠商都會在IGBT模塊內(nèi)部封裝NTC熱敏電阻芯片，用它來測量模塊的殼體溫度。熱敏電阻芯片精度高，能準確地監(jiān)測IGBT內(nèi)部溫度，其尺寸小，工作時還不受安裝位置等因素的影響。IGBT作為國際上公認的電力電子技術第三次革命具代表性的產(chǎn)品，屬于我國“02專項”重點扶持項目。IGBT能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的，被廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。

根據(jù)IHS的相關數(shù)據(jù)顯示，作為世界最大的功率半導體消費國，中國在2018年的市場需求規(guī)模已經(jīng)達到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達35%。IHS預計，未來中國功率半導體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021年的市場規(guī)模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù)顯示，2018年中國IGBT市場規(guī)模為161.9億元，同比增長22.19%，增速顯著高于全球平均水平。

根據(jù)TrendForce的預測，國內(nèi)IGBT行業(yè)規(guī)模在2025年將增至522億元，期間年均復合增長率高達19.1%。因此，發(fā)展國產(chǎn)化IGBT芯片，打破國際技術封鎖，是保障國家基礎戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內(nèi)IGBT的發(fā)展亦獲得巨大的推動力，市場持續(xù)快速增長。根據(jù)IHS的統(tǒng)計，中國功率半導體市場中前三大產(chǎn)品是電源管理IC、MOSFET、IGBT，三者市場規(guī)模占2018年中國功率半導體市場規(guī)模比例分別為60.98%，20.21%與13.92%。

然而，目前國內(nèi)功率半導體企業(yè)僅在二極管、晶閘管領域開始廣泛替代，而在MOSFET、IGBT領域，仍與國外企業(yè)存在較大差距。在國內(nèi)IGBT市場，海外廠商同樣占據(jù)50%以上的市場份額，國產(chǎn)替代的空間十分廣闊。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)顯示，全球前十大IGBT模塊供應商占據(jù)77.7%的份額，當中僅有一家國內(nèi)企業(yè)進入排名，占據(jù)2%的市場份額。根據(jù)ASMC披露，我國90%以上IGBT產(chǎn)品需要進口。因此，國產(chǎn)IGBT的開拓之路，任重而道遠。

廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的NTC熱敏電阻芯片具有高精度、高靈敏、高可靠的特點，能更好地進行IGBT模塊內(nèi)部的溫度監(jiān)測和溫度控制，保證IGBT在工作過程中的安全使用。 

參考數(shù)據(jù)：

深度行業(yè)研究 樂晴智庫精選《IGBT：功率半導體核心元器件》